SIHD186N60EF-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 19 A, 0.175 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003749350
- Артикул
- SIHD186N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 20
- Серия
- EF
Цена по запросу
(от 570 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode; 4th Gen E Series Technology
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 20 |
| Серия | EF |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 201 mΩ |
| Время нарастания | 32 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.175Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
| Линейка Продукции | EF |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 19А |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 201 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.175Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.5 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.175 Ом |