SIHD180N60E-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001931128
- Артикул
- SIHD180N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-252
- Power Dissipation
- 156Вт
Цена по запросу
(от 463 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-252 |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.17Ом |
| Линейка Продукции | E |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 19А |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.17Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.17 Ом |