Моя заявка (0)

SIHD14N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252

SIHD14N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070054661
Артикул
SIHD14N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 234,05 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г2
СерияE
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-252
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада15 ns
Typical Fall Time (ns)15
Typical Rise Time (ns)19
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Maximum Power Dissipation (mW)147000
Qg - заряд затвора32 nC
Typical Gate Charge @ 10V (nC)32
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)32@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)15
Время нарастания19 ns
Maximum Drain Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)35
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Maximum Continuous Drain Current (A)13
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1205@100V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)309@10V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности147 W
Другие названия товара №SIHD14N60E-BE3
Id - непрерывный ток утечки13 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток269 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V

Техническая документация