E N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin DPAK SIHD11N80AE-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029746274
- Артикул
- SIHD11N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E имеют тип корпуса DPAK (TO-252) с одиночной конфигурацией. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Series | E |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 78Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.391 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.391Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Линейка Продукции | E |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |