SIHB6N80AE-GE3,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046344072
- Артикул
- SIHB6N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.5
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 469 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E обладают низкими потерями при переключении и проводимости, они используются в такиx приложенияx, как источники питания с переключаемым режимом, серверные источники питания и источники питания с коррекцией коэффициента мощности.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.826 Ом |