Quad Silicon N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V, 3-Pin D2PAK SIHB6N80AE-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030993485
- Артикул
- SIHB6N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 211 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E обладают низкими потерями при переключении и проводимости, они используются в такиx приложенияx, как источники питания с переключаемым режимом, серверные источники питания и источники питания с коррекцией коэффициента мощности.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 850 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |