SIHB33N60E-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025452972
- Артикул
- SIHB33N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 54 ns
- Packaging:
- Bulk
- Rise Time:
- 60 ns
Цена по запросу
(от 758 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-КАНАЛЬНЫЙ, 600 В, 33 А, TO-263-3, Полярность транзистора: N-канальный, Постоянный ток стока Id:33 А, Напряжение источника стока Vds: 600 В, Сопротивление Rds(включено): 0,083 Ом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs:10 В, Пороговое напряжение Vgs:2 В , Соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 54 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 60 ns |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 100 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 278 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 99 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 33 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 99 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |