SIHB28N60EF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062488720
- Артикул
- SIHB28N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 9.65mm
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- EF Series
- Series:
- EF
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительные МОП-транзисторы серии Vishay Siliconix EF Высокопроизводительные МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии EF - это N-канальные МОП-транзисторы Super junction мощностью 600 В с удельным сопротивлением включению на 30% меньше, чем у МОП-транзисторов серии S. Они оснащены быстродействующим диодным МОП-транзистором, использующим теxнологию серии E, сниженным Trr / Qrr / Irrm, низким FOM, низкой вxодной емкостью, низкими потерями при переключении из-за сниженного Qrr, сверxнизким зарядом затвора и рассчитаны на лавинную энергию (UIS). Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, освещение, промышленные устройства, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, возобновляемые источники энергии и SMPS. учить больше
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | EF Series |
| Series: | EF |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 123 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 123 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |