SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070197205
- Артикул
- SIHB24N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E Series
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E снижают потери при переключении и проводимости. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Series | E Series |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 208Вт |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.184 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Линейка Продукции | E |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 21А |
| Рассеиваемая Мощность | 208Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |