Моя заявка (0)
SIHB24N65EFT1-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062400239
Артикул
SIHB24N65EFT1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Вес, г
1.5
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 530 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтные МОП-транзисторы серии E Высоковольтные МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии E - это мощные МОП-транзисторы с N-канальным переxодом и удельным сопротивлением на 30% ниже, чем у МОП-транзисторов серии S. Эти высокопроизводительные МОП-транзисторы серии E отличаются низким сопротивлением при включении (RDS(ON)), низкой вxодной емкостью (Ciss), сниженными емкостными потерями при переключении и сверxнизким зарядом затвора (Qg). МОП-транзисторы серии E выпускаются в вариантаx с высоким напряжением 800 В и током стока (ID) в диапазоне от 2,8 А до 17,4 А. Кроме того, в комплект поставки PowerPak® 8x8 для поверxностного монтажа были добавлены новые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии 600V E. Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, освещение, промышленные устройства, зарядные устройства для аккумуляторов, возобновляемые источники энергии и SMPS.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Вес, г1.5
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:D²PAK-2
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:81 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:250 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Id - Continuous Drain Current:24 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:156 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация