N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB22N60EF-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014515477
- Артикул
- SIHB22N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 9.65mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 590 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии EF с быстродействующим диодом в корпусе. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg Низкая вxодная емкость (Ciss)
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 179 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 182 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |