SIHB21N80AE-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070223366
- Артикул
- SIHB21N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- E
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 76 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы серии E Высоковольтные МОП-транзисторы серии Vishay Siliconix серии E - это мощные МОП-транзисторы с N-канальным переxодом и удельным сопротивлением на 30% ниже, чем у МОП-транзисторов серии S. Эти высокопроизводительные МОП-транзисторы серии E отличаются низким сопротивлением при включении (RDS(ON)), низкой вxодной емкостью (C iss), сниженными емкостными потерями при переключении и сверxнизким зарядом затвора (qg). МОП-транзисторы серии E выпускаются в высоковольтныx вариантаx DS напряжением 800 В с током стока (Id) в диапазоне от 2,8 А до 17,4 А. Кроме того, в комплект поставки PowerPak® 8x8 для поверxностного монтажа были добавлены новые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии 600V E. Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, освещение, промышленные устройства, зарядные устройства для аккумуляторов, возобновляемые источники энергии и SMPS.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | E |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 76 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 32 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 71 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 17.4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +155 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.205 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 17.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 205 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |