SIHB21N65EF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070071662
- Артикул
- SIHB21N65EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- EF
- Высота
- 4.83 mm
Цена по запросу
(от 537,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | EF |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 106 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 21 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |