EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB186N60EF-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023276053
- Артикул
- SiHB186N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- EF
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 964 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF с быстродействующим диодом имеет тип корпуса D2PAK (TO-263). Теxнология 4-го поколения серии E
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | EF |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Серия | EF |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 32 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 193mOhm @ 9.5A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N - Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3 → 5V |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.168 Ω |
| Время нарастания | 46 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.168Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.4 A |
| Линейка Продукции | EF |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 8.4А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.4A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.4 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 168 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.168Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.4 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.4 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |