SIHB17N80E-GE3, MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006257990
- Артикул
- SIHB17N80E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-263
- Power Dissipation
- 208Вт
Цена по запросу
(от 558,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E имеют низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg и низкую вxодную емкость (Ciss).
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-263 |
| Power Dissipation | 208Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.25Ом |
| Линейка Продукции | E |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Рассеиваемая Мощность | 208Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |