SIHB15N65E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070102428
- Артикул
- SIHB15N65E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 34Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.23Ом
Цена по запросу
(от 550 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 34Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.23Ом |
| Линейка Продукции | E Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |