SIHB15N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062306761
- Артикул
- SIHB15N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Серия
- E
- Channel Type
- N
- Package Type
- D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 402,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия | E |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 22 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 39 nC |
| Время нарастания | 26 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |