EF Series N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB155N60EF-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031423586
- Артикул
- SIHB155N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 27 ns
Цена по запросу
(от 760 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 179 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 9.2 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |