SIHB12N60E-GE3-VB, TO-263 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381510
- Артикул
- SIHB12N60E-GE3-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 1.6
- Корпус
- TO-263
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1.6 |
| Корпус | TO-263 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 147 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 430mΩ@10V |