SIHB12N60E-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641813
- Артикул
- SIHB12N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- E
- Fall Time:
- 19 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 244,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 7,8А, 147Вт, D2PAK
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | E |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 3.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 147 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 147 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |