SIHB11N80E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070047102
- Артикул
- SIHB11N80E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Серия
- E
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 404,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия | E |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 18 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Время нарастания | 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 179 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 440 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.5 S |