SIHB11N80AE-GE3, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014321750
- Артикул
- SIHB11N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.35
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 424 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E имеют тип корпуса D2PAK (TO-263) с одиночной конфигурацией. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Series | E |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.35 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.391 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.391 Ом |