SIHB11N80AE-GE3, MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006227036
- Артикул
- SIHB11N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 500 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E имеют тип корпуса D2PAK (TO-263) с одиночной конфигурацией. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Series | E |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.391 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |