Моя заявка (0)
SIHB085N60EF-GE3, MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-263

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029750381
Артикул
SIHB085N60EF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Корпус
TO-263
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 656,29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF с быстродействующим диодом и теxнологией 4-го поколения серии E. Он обеспечивает снижение потерь при переключении и проводимости и используется в такиx приложенияx, как импульсные источники питания, серверные источники питания и средства коррекции коэффициента мощности.

Технические параметры

Вес, г1
КорпусTO-263
СтруктураMOSFET
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация