SIHB075N65E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046493448
- Артикул
- SIHB075N65E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 3Pins
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-263
Цена по запросу
(от 907 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-263 |
| Product Range | E Series |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | TO-263(D2PAK) |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 35A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250W |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.079 Ом |