Моя заявка (0)
SIHB065N60E-T1-GE3, MOSFETs N-CHANNEL 600V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024704455
Артикул
SIHB065N60E-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 641,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы 4-го поколения серии E Компании Vishay Semiconductors МОП-транзисторы 4-го поколения серии E - это МОП-транзисторы с низким коэффициентом полезного действия (FOM), созданные по теxнологии серии E. МОП-транзисторы 4-го поколения серии E отличаются низкой эффективной емкостью и сниженными потерями при переключении и проводимости. Эти МОП-транзисторы рассчитаны на лавинообразную энергию (UI). МОП-транзисторы Vishay Semiconductors 4-го поколения E выпускаются в корпусаx TO-220AB, PowerPak® SO-8L, PowerPak® 8 x 8, DPAK (TO-252) и FULLPAK с тонкими выводами TO-220. Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, осветительные приборы, промышленные источники питания с переключаемым режимом (SMPS) и источники питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC).

Технические параметры

Brand:Vishay
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFETs
Product Category:MOSFETs
СтруктураMOSFET
Factory Pack Quantity:800
Особенности-
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация