SIHA6N80E-GE3, Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002331191
- Артикул
- SIHA6N80E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Through Hole
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 120 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 800V 5.4A с 3-контактным разъемом (3+Tab) TO-220FP
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.7(Max) |
| Package Length | 10.3(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 31000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 27 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 827@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 940@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |