SIHA6N80AE-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070114951
- Артикул
- SIHA6N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 30Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.826Ом
Цена по запросу
(от 173,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.826Ом |
| Линейка Продукции | E |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.826Ом |