Моя заявка (0)

SIHA25N60EFL-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Through Hole

SIHA25N60EFL-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000951966
Артикул
SIHA25N60EFL-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
3
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Power Dissipation
39Вт
Цена по запросу
(от 696 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г3
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Power Dissipation39Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.127Ом
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока25А
Рассеиваемая Мощность39Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.127Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.127 Ом

Техническая документация