Моя заявка (0)

SIHA25N50E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP

SIHA25N50E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070046885
Артикул
SIHA25N50E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
2
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
35Вт
Drain Source On State Resistance
0.125Ом
Цена по запросу
(от 345,28 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2
Channel TypeN Channel
Power Dissipation35Вт
Drain Source On State Resistance0.125Ом
Линейка ПродукцииE Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока26А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds500В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Максимальная Рабочая Температура150°C