Моя заявка (0)
SIHA24N80AE-GE3, MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008938327
Артикул
SIHA24N80AE-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
E Series
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 380,40 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E снижают потери при переключении и проводимости. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg

Технические параметры

SeriesE Series
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation35Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage850 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.184 Ω
Drain Source On State Resistance0.16Ом
Maximum Continuous Drain Current9 A
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока9А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация