Моя заявка (0)

E Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA21N80AE-GE3

E Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA21N80AE-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014546733
Артикул
SIHA21N80AE-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
E
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 417,14 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор серии Vishay E имеет тонкий вывод TO-220 в корпусе FULLPAK с током стока 7,5 А.

Технические параметры

SeriesE
Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation33Вт
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage2 → 4V
Maximum Drain Source Resistance0.205 Ω
Drain Source On State Resistance0.205Ом
Maximum Continuous Drain Current7.5 A
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока7.5А
Рассеиваемая Мощность33Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.205Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация