Моя заявка (0)

SIHA21N80AE-GE3, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 7.5 A, 0.205 ohm, TO-220FP, Through Hole

SIHA21N80AE-GE3, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 7.5 A, 0.205 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007254255
Артикул
SIHA21N80AE-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
E
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 525 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор серии Vishay E имеет тонкий вывод TO-220 в корпусе FULLPAK с током стока 7,5 А.

Технические параметры

SeriesE
Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation33Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage2 → 4V
Maximum Drain Source Resistance0.205 Ω
Drain Source On State Resistance0.205Ом
Maximum Continuous Drain Current7.5 A
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока7.5А
Рассеиваемая Мощность33Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.205Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.205 Ом

Техническая документация