Моя заявка (0)

EF N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V, 3-Pin TO-220 SiHA186N60EF-GE3

EF N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V, 3-Pin TO-220 SiHA186N60EF-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014546731
Артикул
SiHA186N60EF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
EF
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии Vishay EF с быстродействующим диодом в корпусе FULLPAK имеют тонкий вывод TO-220. Теxнология 4-го поколения серии E

Технические параметры

SeriesEF
Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation156Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage3 → 5V
Maximum Drain Source Resistance0.168 Ω
Drain Source On State Resistance0.168Ом
Maximum Continuous Drain Current8.4 A
Линейка ПродукцииEF
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока8.4А
Рассеиваемая Мощность156Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.168Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация