Моя заявка (0)

E N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin TO-220 FP SIHA15N80AE-GE3

E N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin TO-220 FP SIHA15N80AE-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014546727
Артикул
SIHA15N80AE-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
E
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 504,45 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E имеют тонкий вывод TO-220 в корпусе FULLPAK с током стока 6 А. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg

Технические параметры

SeriesE
Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation33Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage2 → 4V
Maximum Drain Source Resistance0.304 Ω
Drain Source On State Resistance0.304Ом
Maximum Continuous Drain Current6 A
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока6А
Рассеиваемая Мощность33Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.304Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация