Моя заявка (0)

SIHA15N50E-GE3, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Through Hole

SIHA15N50E-GE3, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000959262
Артикул
SIHA15N50E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
3
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Power Dissipation
33Вт
Цена по запросу
(от 484 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г3
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Power Dissipation33Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.243Ом
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока14.5А
Рассеиваемая Мощность33Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds500В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.243Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.243 Ом

Техническая документация