Моя заявка (0)

SIHA150N60E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.135 ohm, TO-220, Through Hole

SIHA150N60E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.135 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046344075
Артикул
SIHA150N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.36
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 180 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E обладают сниженными потерями при переключении и проводимости и используются в такиx приложенияx, как источники питания с переключаемым режимом, серверные источники питания и источники питания с коррекцией коэффициента мощности.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.36
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8DC
КорпусTO-220
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Continuous Drain Current9 A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.135 Ом

Техническая документация