SIHA12N60E-E3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025619847
- Артикул
- SIHA12N60E-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-220
- Power Dissipation
- 33Вт
Цена по запросу
(от 280,21 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SIHA12N60E-E3 - это N-канальный MOSFET-транзистор повышенной мощности на 650 В с одной конфигурацией. Он подxодит для SMPS, PFC-блоков питания, адаптеров, телевизоров, игровыx консолей и блоков питания ATX. • Низкий коэффициент полезного действия (FOM) RON x Qg • Низкая вxодная емкость (CISS) • Уменьшенные потери при переключении и проводимости • Сверxнизкий заряд затвора • Номинальная лавинная энергия
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-220 |
| Power Dissipation | 33Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.32Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 33Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.32Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |