SIHA125N60EF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070150625
- Артикул
- SIHA125N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- SiHA125N60EF
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 466,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF с быстродействующим диодом выполнен по теxнологии 4-го поколения серии E. Он обеспечивает снижение потерь при переключении и проводимости.
Технические параметры
| Series | SiHA125N60EF |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-220 FP |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 179Вт |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.125 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.109Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Линейка Продукции | EF |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Рассеиваемая Мощность | 179Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.109Ом |