Моя заявка (0)
SIHA125N60EF-GE3, MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049984876
Артикул
SIHA125N60EF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Корпус
to220
Power Dissipation
179Вт
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF с быстродействующим диодом выполнен по теxнологии 4-го поколения серии E. Он обеспечивает снижение потерь при переключении и проводимости.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Корпусto220
Power Dissipation179Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.109Ом
Линейка ПродукцииEF
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока11А
Рассеиваемая Мощность179Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе-1.4 V, +7 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.109Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация