SIHA11N80E-GE3, Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002331190
- Артикул
- SIHA11N80E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 170 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 800V 12A 3-контактный (3+Tab) TO-220FP
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Серия | E |
| PCB changed | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Power Dissipation | 34Вт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 18 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 34000 |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 44@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
| Время нарастания | 15 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.38Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 55 |
| Линейка Продукции | E |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1670@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 440@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 34Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 34 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.38Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.5 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |