Моя заявка (0)

SIHA105N60EF-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-220FP, Through Hole

SIHA105N60EF-GE3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008586555
Артикул
SIHA105N60EF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Серия
EF
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Цена по запросу
(от 702 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор E Series Pwr МОП-транзистор w/Fast Body Diode

Технические параметры

Вес, г1
СерияEF
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Power Dissipation35Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Drain Source On State Resistance0.088Ом
Линейка ПродукцииEF IV Gen
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока29А
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А29
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.088 Ом

Техническая документация