SIDR870ADP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070088322
- Артикул
- SIDR870ADP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- SID
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 125Вт
Цена по запросу
(от 210,35 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SID |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 25.5 nC |
| Время нарастания | 15 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.0055Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 95А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 95 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0055Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 68 S |