SIDR668ADP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070059577
- Артикул
- SIDR668ADP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 125Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.004Ом
Цена по запросу
(от 283,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-CH, 100 В, 104 А, 150°C, 125 Вт СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ ROHS: ДА
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.004Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 104А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO-DC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.004Ом |