Моя заявка (0)

SIDR638DP-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SIDR638DP-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001749529
Артикул
SIDR638DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
3
Серия
SID
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
125Вт
Цена по запросу
(от 505 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

Технические параметры

Вес, г3
СерияSID
Channel TypeN Channel
Power Dissipation125Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада19 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора63 nC
Время нарастания16 ns
Drain Source On State Resistance730мкОм
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока100А
Рассеиваемая Мощность125Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.3В
Pd - рассеивание мощности125 W
Id - непрерывный ток утечки100 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения43 ns
Типичное время задержки при включении70 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)730мкОм
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.147 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт6.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация