SIDR626LEP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044031269
- Артикул
- SIDR626LEP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PowerPAK SO-8DC
Цена по запросу
(от 318,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Vishay TrenchFET® - это мощный N-канальный МОП-транзистор четвертого поколения, который работает при напряжении 60 В и температуре 175°C.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PowerPAK SO-8DC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0012Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 218 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 218А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |