SIDR626LDP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049489330
- Артикул
- SIDR626LDP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PowerPAK SO-8DC
Цена по запросу
(от 303,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 60 В (D-S) имеет тип корпуса PowerPak SO-8DC. Силовой МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PowerPAK SO-8DC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1 → 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0012 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0012Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 204 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 204А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0012Ом |