SIDR Type N-Channel MOSFET, 227 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR626EP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031015149
- Артикул
- SIDR626EP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 570 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Vishay N-channel TrenchFET поколения 4 оснащен функцией оxлаждения сверxу, что обеспечивает дополнительное пространство для теплопередачи.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8DC |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.00145Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 227 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 227А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO-DC |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 227 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00145 Ом |