Моя заявка (0)

SIDR626DP-T1-GE3, 60V 1.7mOhm@20A,10V 3.4V@250uA 1 N-Channel MOSFETs ROHS

SIDR626DP-T1-GE3, 60V 1.7mOhm@20A,10V 3.4V@250uA 1 N-Channel MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070083440
Артикул
SIDR626DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.13
Серия
SID
Channel Type
N Channel
Упаковка
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 410,36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

Технические параметры

Вес, г0.13
СерияSID
Channel TypeN Channel
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation125Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада11 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора68 nC
Время нарастания24 ns
Drain Source On State Resistance0.0014Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока100А
Рассеиваемая Мощность125Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3.4В
Pd - рассеивание мощности125 W
Id - непрерывный ток утечки100 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения30 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0014Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.78 S

Техническая документация