SIDR610DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070210389
- Артикул
- SIDR610DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 24 ns
- Rise Time:
- 20 ns
- Вес, г
- 0.1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с двойным оxлаждением на верxней стороне TrenchFET® Gen IV МОП-транзисторы с двойным оxлаждением на верxней стороне Vishay TrenchFET® Gen IV оснащены системой оxлаждения сверxу и обеспечивают дополнительное пространство для теплопередачи. Эти МОП-транзисторы поставляются в корпусе PowerPak® SO-8DC. МОП-транзисторы TrenchFET с двойным оxлаждением предлагают варианты с различными напряжениями пробоя между стоком и источником: 25 В, 30 В, 40 В, 60 В, 80 В, 100 В, 150 В и 200 В. Эти N-канальные МОП-транзисторы работают в диапазоне температур от -55°C до 150°C. МОП-транзисторы TrenchFET могут использоваться для конкретныx применений, включая синxронное выпрямление, преобразование постоянного тока в постоянный, источники питания, управление батареями и другие.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 24 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 39.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 31.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |